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metallorganische Gasphasenepitaxie

metal organic vapour phase epitaxy, MOVPE, Epitaxie-Verfahren, das zur Herstellung dünner Halbleiterschichten, hauptsächlich bei III-V und II-VI Materialien, eingesetzt wird. Die metallorganische Gasphasenepitaxie ist eine spezielle Form der chemischen Gasphasenabscheidung, bei der ein Quellenmaterial als metallorganische Verbindung vorliegt, z.B. Trimethylgallium (TMG, Ga(CH3)3) beim Wachstum von Ga-haltigen Verbindungen. Als Ausgangsstoff für die Elemente der fünften Hauptgruppe werden meist Hydride, z.B. AsH3 oder PH3, eingesetzt. Die MOVPE arbeitet bei Drücken von 103 Pa-105 Pa, d.h. es liegt eine viskose, hydrodynamische Strömung vor. Das Wachstum in der MOVPE ist durch komplizierte Wechselwirkungen zwischen Gasphasenreaktionen und Oberflächenreaktionen bestimmt. Industriell wird die MOVPE zur Herstellung von III-V-Halbleiter-Bauelementen eingesetzt, insbesondere im Bereich der Optoelektronik und der schnellen Heterobipolar-Transistoren. (Molekularstrahlepitaxie, metallorganische Molekularstrahlepitaxie)

 

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