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TED

Engl. Abk. für transferred electron device, Elektronentransferbauelement. TELD (transferred electron logic device, Elektronentransfer-logikelement). Integrationsfähiges Gunn-Element, das mittels Planartechnik hergestellt wird und beide Anschlußkontakte auf der Oberfläche des Halbleiterplättchens (Chip) hat. Wegen ihres konstruktiven Aufbaus können übliche Gunn-Elemente nicht in monolithisch integrierten Schaltungen verwendet werden. Demgegenüber sind TED-Struktu-ren auf Galliumarsenid-Basis (GaAs) gut zur Integration geeignet. Sie ermöglichen die Ausführung einer Vielzahl logischer Operationen (Logik-Funktion), wobei Gatter-Verzögerungszeiten unter 30 ps bzw. Bitraten bis 20 Gbits erreichbar sind. Wegen des relativ hohen Leistungsverbrauchs eines TED-Logikgatters lassen sie allerdings nur niedrige Integrationsgrade zu (SSI). Durch Kombinationen von TED und GaAs-FET in monolithischen IS kann dieser Beschränkung teilweise begegnet werden. Dabei dienen die TED als schnelle und sehr triggerempfindliche Schaltelemente, während die FET als analoge Bauelemente für Verstärker- und Treiberstufen sowie für Puffer- und Steuerfunktionen eingesetzt werden. TED-FET-IS erlauben höhere Integrationsgrade (MSI) und lassen sich als Gigabit-Logikelement (u. a. als Digitalschaltungen, Impulsregeneratoren, Modems für Binärcodierung) sowie als schnelle Analog-Digital-Wandler mit Arbeitsfrequenzen bis zu 10 GHz verwenden.

 

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