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Unipolartechnik

Sammelbegriff für diejenigen Bauelemente techniken, die auf unipolaren Bauelementen beruhen. Grundelement der U. ist der Feldeffekttransistor in den verschiedenen Ausführungsformen als IGFET (MIS- bzw. MOSFET), dem anwendungstechnisch wichtigsten FET-Typ, sowie als SFET und MESFET. Ihr gemeinsames Bauelementeprinzip ist die spannungsgesteuerte Beeinflussung eines leitfähigen - Kanals. Dabei sind nur die jeweiligen Majoritätsträger beteiligt, d. h. Ladungsträger nur einer Art (entweder Elektronen oder Löcher), woraus sich die Bezeichnungen unipolare oder Majoritätsträgerbauelemente ableiten. Die angeführten FET-Varianten werden zwar auch als diskrete Transistoren (insbesondere Leistungs-FET) eingesetzt, haben jedoch in erster Linie als Funktionselemente monolithisch integrierter Schaltungen (IS, unipolare) große Bedeutung erlangt. Neben den drei Grundformen gibt es einige Sonderformen unipolarer Bauelemente. Perspektivisch aussichtsreich davon sind der Static-Induction-Transi-stor (engl., statischer Influenz-Transistor, Abk. SIT) und der Permeable-Base-Transi-stor (engl., Transistor mit durchlässiger Basis, Abk. PBT). Im weiteren Sinne rechnen auch die CCD-Technik und die CTD-Technik (engl. Abk. für Charge transfer devi-ces, Ladungstransferbauelemente) zur U.

 

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