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Widerstand parasitärer

Parasitäres Widerstandselement, das hauptsächlich in Höchstfrequenz-Halbleiterbau elementen, insbesondere GaAs-FET, und in integrierten Schalttransistoren von Bedeutung ist und deren frequenzabhängige Parameter negativ beeinflußt (Bauelement, parasitäres). P. W. sind in erster Linie durch die Widerstände der Halbleiterbahngebiete von Transistoren und durch die Leitbahnwiderstände infolge der sehr dünnen Metallisierungsschichten bedingt. In Verbindung mit den stets vorhandenen Parasitärkapazitäten (Kapazität, parasitäre) bewirken sie eine Reduzierung der oberen Grenzfrequenz von Hochfrequenztransistoren bzw. der. Schaltgeschwindigkeit von schnellen integrierten Logikschaltungen (IS, digitale; » Gigabit-Logik). In integrierten Bipolartransistoren (Transistor, bipolarer) als den entscheidenden Funktionselementen in bipolaren Silicium-IS wirken sowohl die Basis-bahnwiderstände als auch die Kollektorbahnwiderstände als p. W. In GaAs-FET machen sich der Source-Bahnwiderstand und der Metallisierungswiderstand des Gatestreifens sowohl auf die Grenzfrequenz als auch auf das Rauschen nachteilig bemerkbar.

 

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