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Bauelement parasitäres

Parasitäre Elemente. Unerwünschte Schaltungselemente in monolithisch integrierten Schaltungen und in Höchstfrequenzbauele menten, die deren Parameter, insbesondere ihr Frequenzverhalten, negativ beeinflussen. P. B. treten besonders ausgeprägt in solchen monolithischen IS (IS, monolithische) auf, bei denen die einzelnen Funktionselemente durch Sperrschichtisolation voneinander isoliert werden. Sie sind darauf zurückzuführen, daß neben im Schaltungsentwurf vorgesehenen Funktionselementen (Transistoren, Dioden, Widerstände, Kondensatoren) ungewollt zusätzliche Schaltungselemente entstehen. P. B. sind konstruktiv bedingt, müssen dementsprechend für die Parameter der Gesamtschaltung berücksichtigt werden und treten in Form von Kapazitäten (Kapazität, parasitäre), Widerständen (Widerstand, parasitärer), Dioden und pnp-Transistoren auf. Parasitäre Kapazitäten und Widerstände verschlechtern vor allem das Frequenzverhalten von digitalen Schaltungen (IS, digitale) und führen zu einer Erhöhung der Gatter-Verzögerungszeit, während lateral und vertikal angeordnete pnp-Transistoren sowie Dioden unerwünschte Leckströme mit sich bringen können und die Gatter-Verlustleistung heraufsetzen. In Höchstfrequenz-Halbleiterbauelementen und IS für die Mikrowellentechnik (MIC; MM IC) weisen alle diskreten Bauelemente bzw. Funktionselemente integrierter Schaltungen sowie die metallischen Verbindungen (z. B. Streifenleiter) generell einen parasitären kapazitiven Anteil auf sowie einen parasitären ohmschen Widerstandsanteil und einen induktiven Anteil. Diese Parasitärelemente haben auf die entscheidenden Parameter, wie Grenzfrequenz, Rauschen, Verstärkungs-Bandbreite-Produkt usw., einen negativen Einfluß.

 

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