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FAMOS-Technik

Engl. Abk. för floating gate avalanche injection MOS, MOS-Struktur mit schwebendem Gate und Lawineninjektion. MOS-Technik, die zur Herstellung von Speicherelementen dient. Substrat; 2 SiO:-lsolation: 3 Floating Gate aus Polysilicium; 4 Source; 5 Gate; 6 Drain Source gelangen Elektronen infolge Ava-lanche-Injektion (Avalanche-Effekt) durch das dünne Si02 hindurch zum Gate (Einschreiben der Information). Die negative Ladung kann dort wegen der hervorragenden Isoliereigenschaften des Si02 über Jahre gespeichert bleiben und erzeugt durch Ladungsträgerinfluenz einen p-leitenden Kanal. Das Löschen der Information ist mit UV-Strahlung hoher Intensität möglich.

 

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