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pin-Fotodiode

Fotodiode mit dem Aufbau einer pin-Diode. Das p-Gebiet und das n-Gebiet sind jeweils stark dotiert aber relativ dünn. Die p. wird in Sperrichtung betrieben. Die durch Lichteinstrahlung in das i-Gebiet erzeugten Ladungsträgerpaare werden durch das anliegende elektrische Feld getrennt, und es fließt zusätzlich zum Sperrstrom ein von der Sperrspannung unabhängiger Fotostrom, der von der Anzahl der in der i-Schicht absorbierten Photonen (Lichtquanten) abhängt. Mit Hilfe der i-Schicht erreicht man eine höhere Lichtausbeute als bei Bestrahlung eines normalen pn-Übergangs. Die p. zeichnen sich somit durch eine hohe Lichtempfindlichkeit bei kurzen Ansprechzeiten aus.

 

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pin-Diode
Pin-Grid-Gehäuse

 

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Weitere Begriffe : MHD-Instabilität | FID | Spannungsdoppelbrechung

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