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PMOS-Technik

Engl. Abk. für p-channel metal oxide semi-conductor, p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur. p-Kanal-Technik, MOS-Technik, die ausschließlich auf^> p-Kanal-Transistoren beruht. Die P. ist die älteste Ausführungsform integrierter MOS-Schaltungen (IS, unipolare) und wurde in der Zwischenzeit weitgehend von der NMOS-Technik abgelöst. Sie wird üblicherweise in Metall-Gate-Technik mit Enhancement-Transistoren ausgeführt und erlaubt nur mäßig hohe Integrationsgrade. Ihre Fertigungstechnologie ist einfach, wodurch hohe Ausbeuten möglich sind. Aufgrund ihrer hohen Schwellspannung (Feldeffekttransistor) erfordert sie mehrere Versorgungsspannungen mit hohen Pegeln (sog. Hochvolttechnik) und ist nicht TTL-kompatibel (Kompatibilität), hat jedoch eine hohe Störsicherheit. Die P. ist relativ langsam (Schaltgeschwindigkeit) und wird gegenwärtig noch für Tisch-und Taschenrechner-IS sowie in verschiedenen Maschinen- und Programmsteuerungen genutzt. Verbesserte Weiterentwicklungen in Kombination mit der Silicon-Gate-Technik oder mit • Implantationsverfahren sind bedingt TTL-kompatibel und werden z. B. in Halbleiterspeichern angewendet (Niedervolttechnik).

 

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