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Silicon-Gate-Technik

Engl., Silicium-Gate-Technik. Abk. SGT. Spezielle Ausfuhrungsform der M OS-Technik, bei der das Gate aus Poly-Silicium besteht. Die S. kann mit fast allen integrierten MOS-Varianten kombiniert werden. Ihr Grundvorteil gegenüber der r Metall-Gate-Technik besteht darin, daß aufgrund der geringeren Schwellspannungen (weniger als ± 1 V) derartig aufgebauter Feldeffekttransistoren niedrigere Versorgungsspannungspegel möglich sind (sog. Niedervolttechnik) und man gleichzeitig mit der Gateherstellung Leitbahnen aus polykristallinem Silicium abscheiden bzw. eindiffundieren kann. Darüber hinaus können kleinere Bauelementestrukturen (Lateralstruktur; » Strukturgröße, minimale) erzeugt werden, da sich das Si-Gate als selbstjustierende Maske für die Diffusion von Source und Drain bzw. für das Implantationsverfahren benutzen läßt, wodurch hohe r Packungsdichten und geringere Verlustleistungen möglich sind. Infolge der reduzierten, parasitär wirkenden Elektrodenüberlappung (Kapazität, parasitäre) verbessern sich auch die dynamischen Eigenschaften der IS (Schaltgeschwindigkeit). Diese z.T. erheblichen Verbesserungen müssen allerdings durch einen wesentlich höheren technologischen Aufwand und kompliziertere Prozeßschrittfolgen im Zyklus I erkauft werden.

 

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