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Schottky-Übergang

Schottky-Barriere. Schottky-Kontakt, Me fall-Halbleiter-Übergang mit Verarmungsschicht und Sperreigenschaften. Eine Schottky-Barriere bildet sich z. B. zwischen einem » n-Halbleiter und einem Metall aus, dessen Austrittsarbeit (Emission) größer als die des Halbleiters ist. Dadurch fließen die an der Halbleiteroberfläche vorhandenen Elektronen ins Metall ab, so daß im Halbleiter eine an Ladungsträgern verarmte Randschicht entsteht, die als Sperrschicht wirkt. Bei Anlegen einer Gleichspannung wird die Sperrwirkung erhöht, falls der Minuspol am Metall liegt. Nach Umpolung wird die Sperrschicht abgebaut, d. h., oberhalb einer Schleusenspannung wird der Übergang leitend. Demzufolge besitzt ein S. analog zu einem pn-Übergang Gleichrichtereigenschaften. Im Gegensatz zu diesem sind hierbei jedoch nur die Majoritätsträger beteiligt, weshalb keine Speichereffekte auftreten und nur geringe Sperrschichtkapazitäten vorhanden sind. S. werden z. B. in Schottky-Dioden, beim GaAs-FET sowie für sehr schnelle Gleichrichter angewendet. Elektronik, Halbleiterphysik Schottky-Kontakt.

 

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