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Dual-In-Line-Gehäuse

Abk. DIL-Gehäuse. Rechteckiges Gehäuse für IS mit zwei Reihen abgewinkelter Anschlußfahnen an den Längsseiten. Das D. ist für IS mit weniger als 64 Anschlüssen gebräuchlich und hat steckbare Anschlußfahnen (engl. pins). Bei höherer Anzahl der Anschlüsse werden die Verarbeitung des Trägerstreifens und die erforderlichen Bonddrahtlängen (Drahtbonden) problematisch. Die Anschlußfahnen haben international einen Rasterabstand von 100 mil (2, 54 mm) und sind um etwa 90° zum Grundkörper abgewinkelt. Zur Erhöhung der Anzahl der Anschlüsse wurden die QUIL-Gehäuse mit zwei Doppelreihen an Anschlüssen entwickelt, die aber keine prinzipielle Lösung des Problems brachten und durch die gleichzeitige Entwicklung von •Chip-Carrier-Gehäusen keinen breiten Einsatz erlangten. Die D. werden sowohl als hermetische Keramikgehäuse als auch als Plastgehäuse verwendet. Die Keramikgehäuse werden für IS mit hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit (Militärtechnik, Raumfahrt) bzw. für EPROM, bei denen der Speicherinhalt über ein Quarzfenster mittels UV-Lichts gelöscht werden kann, eingesetzt. Plastgehäuse verwendet man für den überwiegenden Teil der IS. Durch Verbesserung der plastischen Umhüllmassen konnten in den letzten Jahren zunehmend plastverDual-In-Line-Gehäuse kappte Bauelemente auch für Anwendungen mit erhöhten Zuverlässigkeitsanforderungen (z. B. Nachrichtentechnik mit einer Einsatzdauer der Bauelemente von teilweise über 20 Jahren) eingesetzt werden. D. werden auch als DIP-G. (engl. Abk. für dual in line pak-kage) bezeichnet.

 

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