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Fototransistor

Bipolarer Transistor (Transistor, bipolarer), bei dem der Stromfluß durch den inneren fotoelektrischen Effekt (Effekt, innerer fotoelektrischer) gesteuert wird. Der F. ist ähnlich wie ein gewöhnlicher Transistor aufgebaut. Abweichend dazu ist der pn-Übergang zwischen dem Kollektor-und dem Basisgebiet größer ausgeführt und liegt nahe der Oberfläche. Durch ein Fenster im Gehäuse dringen Photonen in das Basisgebiet ein. Sie erzeugen durch Generation Ladungsträger, die bei genügender Menge einen Stromfluß durch den F. ermöglichen. Verglichen mit einer Fotodiode, tritt durch den Transistoraufbau eine Stromverstärkung auf. Da der Basisanschluß nicht benötigt wird, ist er meist nicht angeschlossen. Moderne F. weisen eine hohe Empfindlichkeit im Strahlungsbereich zwischen 700 und 1000 nm (rotes und infrarotes Licht) auf. Sie werden als optoelektronischer Sensor (Sensor, optoelektronischer) eingesetzt. Vom Aufbau her kann der F. auch als Kombination einer Fotodiode mit einem Transistor betrachtet werden.

 

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