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Legierungstransistor

Bipolartransistor (Transistor, bipolarer), bei dem in das Substrat von beiden Seiten Dotierungspillen zur Bildung von Emitter und Kollektor einlegiert werden. Die Basis wird bei den L. durch das Substrat gebildet. Bei diesem Verfahren entstehen meist hohe Sperrschichtkapazitäten wegen der abrupten pn-Übergänge. Die Basisschichtdicke ist £ 10 m. Die Technik des Einlegierens wurde vor allem früher bei den Germaniumtransistoren genutzt, wo man Indiumperlen verwendete. Moderne Transistoren auf Siliciumbasis werden durch Diffusions- oder Implantationsverfahren hergestellt (Planartechnik, Planar-Epitaxie-Technik).

 

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