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lonenstrahl-Lithografie

Verfahren der Lithografie, bei dem die Strukturierung des Resists mit Hilfe von Ionenstrahlen erfolgt. Die I. verwendet die gleiche Teilschrittfolge wie die r Fotolithografie. Beim Teilschritt Belichten wird ein geeigneter Resist mit Ionenstrahlen bestrahlt. Im Laborbetrieb werden sowohl schreibende als auch projizie-rende Verfahren untersucht. Der Aufbau der Geräte ähnelt denen zur Elektronenstrahl-Lithografie. Allerdings sind die angewendeten Resists für Ionen um Größenordnungen empfindlicher als für Elektronen. Außerdem tritt kein Proximity-Effekt (Elektronenstrahl-Lithografie) auf, der die Strukturverkleinerung begrenzt. Die 1. eröffnet die Möglichkeit der resistfreien Strukturierung. Der Ionenstrahl modifiziert z. B. die Oberfläche bestimmter Materialien so, daß deren Abtragrate bei Anwendung eines Ätzverfahrens sich gegenüber unbestrahlten Stellen erhöht. Auch andere Prozeßschritte, z. B. Ionenimplantation oder Oxydation, lassen sich mittels gesteuerter Ionenstrahlen durchführen bzw. beeinflussen.

 

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