Minoritätsträger

Ladungsträger in Halbleitern mit Störstellenleitung, die in der Minderheit vorhanden sind. M. sind im n-Halbleiter die Defektelektronen (Löcher), im p-Halbleiter die freien Elektronen (Leitungselektronen). Die Drift der M. verursacht einen Minoritätsträgerstrom, d. h. einen Elektronenstrom in p-dotierten Halbleitergebieten und einen Löcherstrom in n-dotierten Gebieten. Dieser M. strom spielt eine entscheidende Rolle in vielen Bauelementen der » Bipolartechnik, z. B. bei npn- und pnp-Transistoren sowie in Gleichrichterdioden auf Basis eines — pn-Übergangs. Elektronik, Halbleiterphysik, Minoritätsladungsträger, beim p-n-Übergang diejenigen Ladungsträger, die sich im von der Dotierung entgegengesetzten Gebiet aufhalten, also Elektronen im p- und Löcher im n-Gebiet. (Majoritätsladungsträger)