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MIS-Technik

Engl. Abk. für metal insulator semiconductor, Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur. Sammelbegriff für diejenigen integrierten Bauele mentetechniken, die auf dem Konzept des MISFET beruhen f Unipolartechnik). Im weiteren Sinne beinhaltet die Silicium-M. auch die MOS-Technik, bei der das Eigenoxid des Siliciums (Si02) den Gateisolator bildet. Im engeren Sinne wird der Begriff M. oft für solche Bauelementekonzepte benutzt, bei denen der Gateisolator entweder nicht aus Si02 besteht oder aber aus verschiedenen Isolatorstoffen zusammengesetzt ist. Darüber hinaus wird er für IGFET aus anderen Halbleiterwerkstoffen verwendet, wenn deren Gate nicht mit Eigenoxiden isoliert ist. Die Silicium-M. ist besonders geeignet zur Realisierung bestimmter Speichereffekte und besitzt deshalb eine große Bedeutung für umprogrammierbare und nichtflüchtige Halbleiterspeicher (Speicher, nichtflüchtiger). Zur M. gehören z. B. die MNOS-Technik, die MNS-Technik (Isolator: Siliciumnitrid, Si3N4), die MAS-Technik (Isolator: Aluminiumoxid, A1203) und die MAOS-Technik (Isolatordoppelschicht aus Aluminiumoxid und Siliciumoxid).

 

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