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MNOS-Technik

Engl. Abk. für metal aitride oxide semicon-ductor, Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur. Spezielle Ausführungsform der MIS-Technik, wobei der Gateisolator aus einem Schichtaufbau aus Siliciumnitrid und Si liciumoxid besteht. Die M. wird hauptsächlich für Speicherbauelemente (E2PROM) verwendet und basiert auf einem Hystereseverlauf der Transistorschwellspannung (Feldeffekttransistor). An der Grenzfläche der Doppelschicht befinden sich negativ geladene Haftstellen (Oberflächenzustände), die wie Donatoren wirken. Zum Einschreiben der Information wird das Gate auf ein hohes negatives Potential gebracht (etwa -30V)- Dann bewegen sich die Elektronen durch die sehr dünne Si02-Schicht ins Substrat (Tunneleffekt). Ohne Gatespannung bleibt die nun positiv gewordene Haftstellenladung erhalten, da die Elektronen erst bei hohen positiven Spannungen am Gate (über +20 V) zurücktunneln können (Löschvorgang). Die gespeicherte Information führt zur Ausbildung eines Kanals und bleibt auch ohne elektrische Versorgung über Monate erhalten.

 

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