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Phototransistor

Empfänger mit einer Drei-Halbleiter-Schichtenfolge (Transistor), deren elektrische Werte sich bei Bestrahlung ändern. Ein P. arbeitet ähnlich dem normalen Transistor, nur wird die Steuerelektrode (Basis) nicht elektrisch gesteuert, sondern durch Bestrahlung. Vom äußeren Aufbau ähnelt ein P. der Photodiode, er ist nur 10- bis 40mal so empfindlich. Der P. wird aus Silicium (max. spektrale Empfindlichkeit Xmix = 700 nm bis 100 nm) hergestellt und wird bei Regelungs-Registrieraufgaben und in optoelektronischen Systemen eingesetzt. Der P. ist etwas träger als die Photodiode. Elektronik, Halbleiterphysik, ein Bipolar-Transistor, bei dem die gesperrte Basis-Kollektor-Diode als lichtempfindliche Schicht ausgebildet ist. Dadurch wird das Prinzip der Photodiode mit der Stromverstärkung des Transistors gekoppelt. Da der Phototransistor in der Emitterschaltung betrieben wird, ist das Zeitverhalten infolge des Miller-Effektes gegenüber einer Photodiode verschlechtert. Die erreichbaren Grenzfrequenzen liegen im 100 kHz-Bereich. Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor eignet sich ebenfalls als Photodetektor, indem die Gate-Kanal-Diode als Photodiode ausgelegt wird. Ebenso kann der MOS-Feldeffekttransistor als Photodetektor dienen, wenn der Kanal oder die Sperrschicht zwischen Kanal und Substrat dem Lichteintritt zugänglich gemacht werden.

Phototransistor

Phototransistor: a) Schematischer Aufbau (n+: stark n-dotiert, B: Basis, E: Emitter, C: Kollektor); b) Symbol.

 

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