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SGT

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Irene Kramer-Schwenk

Engl. Abk. für Siebdruck. Technik zur Herstellung leitender, halbleitender und isolierender Schichten auf einem Träger. Der S. wird in der Hybridtechnik zur Erzeugung von Dickschichtschaltungen angewendet. Das Substrat, meist Al2Gy Keramik, wird mit verschiedenen pastenförmigen Werkstoffen, die durch ein Sieb mit dem gewünschten Muster mittels eines Streichwerkzeugs (Rakel) gepreßt werden, beschichtet. Da es meist Mehrschichtaufbauten sind, erfolgt dieser Arbeitsgang mehrfach, jedoch mit unterschiedlich strukturierten Sieben, ähnlich der Schablonentechnik im r Zyklus I bei der Herstellung monolithischer IS (IS, monolithische). Die Struktur auf dem Sieb wird mittels Fotolithografie erzeugt, indem das in einem Spannrahmen befindliche Sieb (bis zu 10000 Maschen je cm2) mit lichtempfindlichem Lack beschichtet wird. Anschließend erfolgt die Belichtung über eine Schablone und das Entwik-keln. Die aufgedruckten Schichten, die typische Schichtdicken zwischen 10 und 50 m haben, werden bei etwa 100°C getrocknet (Entweichen des Lösungsmittels) und anschließend bei Temperaturen zwischen 600 und 1000°C eingebrannt, wobei sie eine feste Verbindung mit dem Substrat eingehen. Die fertigen Schichtstrukturen, die je nach verwendeten Siebdruckpasten Widerstände, Kondensatoren und Leiterzüge bilden, können noch mittels Elektronen-, Sand- oder Laserstrahls bzw. elektroerosiv abgeglichen werden, so daß man eine Verbesserung der Toleranz von 10 bis 20% ohne Abgleich, auf 0,1 bis 0,5 % mit Abgleich erreichen kann. Der S. wird auch teilweise bei der Herstellung von Leiterplatten zum Aufdrucken der ätzfesten Lackmuster und zum Bedruk-ken von Gerätefrontplatten eingesetzt.

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