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Silicium-auf-Isolator-Technik

Festkörperphysik, Technik zur Chipherstellung, die als Trägermaterial kein Silicium, sondern einen Isolator verwendet. Dies hat mehrere Vorteile: Eventuelle Störströme durch das Substrat werden vermieden, und durch das Wiederaufdampfen einer neuen Isolatorschicht auf den Wafer können dreidimensionale Strukturen erzeugt werden. Weiterhin sind solche Bauelemente wesentlich strahlungsunempfindlicher, da ionisierende Strahlung in einem Siliciumwafer relativ leicht Elektron-Loch-Paare erzeugen kann. Als Substrat wird meist Saphir verwendet, oder es wird auf einem normalen Siliciumwafer durch Oxidation bei hohen Temperaturen eine dünne Siliciumoxidschicht erzeugt. Bauelemente mit der Silicium-auf-Isolator-Technik sind noch um einiges kostspieliger in der Herstellung als herkömmliche Technik, weshalb sie hauptsächlich in Nischenanwendungen zum Einsatz kommen.

 

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Silicium Silizium (ehem Symbol Si)
Silicium-Photoelement

 

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Weitere Begriffe : Burgers-Körper | Selbstinduktion | Flussquantisierung

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