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SIPMOS-Transistor

Engl. Abk. für Siemens-Power-MOS-Transistor, Siemens-Leistungstransistor. Diskreter MOSFET mit einer vertikalen Stromflußrichtung. S sind ähnlich den diskreten VMOS-Lei-stungstransistoren aufgebaut. Die Strukturierung in vertikaler Richtung erfolgt hierbei nicht über das V-ATE-Verfahren wie bei den VMOS-Transistoren, sondern über Planartechnik mit Ionenimplantation (Implantationsverfahren). Zum Erreichen der hohen Leistung von bis zu 125 W (bis zu 1000 V Sperrspannung bzw. 50 A Drainstrom) werden viele Tausend kleiner MOSFET mit Hilfe der Sourcemetallisierung parallelgeschaltet. Es gibt eine Vielzahl ähnlich aufgebauter Leistungs-FET mit den verschiedenartigsten Firmenbezeichnungen, die meist auf Ausnutzung von —» Kurzkanal-Techniken beruhen.

 

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Sirene

 

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