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Transconductance

Engl., Steilheit.Halbleiterbauelement, bei dem der Stromfluß durch den Halbleiter zwischen zwei Elektroden mittels einer dritten Elektrode gesteuert werden kann. Grundsätzlich unterscheidet man Bipolartransistoren (Transistor, bipolarer) und Feldeffekttransistoren, deren Funktion auf verschiedenen physikalischen Effekten beruht. Die Bipolartransistoren, die zwei pn-Übergänge haben, basieren auf der Injektion von Minoritätsträgern durch den Emitter in die Basis. Beide Ladungsträgerarten sind am Stromtransport beteiligt. Bei den Feldeffekttransistoren ist nur eine Ladungsart für den Stromtransport verantwortlich. Es wird der Fluß von Majoritätsträgern in einem Kanal von Source nach Drain mit Hilfe eines von außen über das r Gate zugeführten elektrischen Felds gesteuert. T. gibt es in diskreter oder integrierter Form (Bauelement, diskretes, Transistor, integrierter). Sie können so hergestellt werden, daß der Stromfluß entweder in vertikaler Richtung (meist bei diskreten T.) oder in horizontaler (lateraler) Richtung (meist bei T.strukturen in — IS) erfolgt. Als Halbleiterwerkstoff wird überwiegend Silicium (Si) eingesetzt, das das früher übliche Germanium (Ge) fast vollständig verdrängt hat. Für spezielle Anwendungen in der Höchstfrequenztechnik kommt zunehmend auch Galliumarsenid (GaAs) zum Einsatz. T. können zur Verstärkung von elektrischen Signalen genutzt werden, da die zur Steuerung des Stromflusses durch den T. notwendige Leistung wesentlich geringer ist als die gesteuerte Leistung.

 

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