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CVD

Engl. Abk. für chemical vapour deposition, chemische Dampfphasenahscheidung. Abscheidung von Materialien aus der Gasphase auf den Wafer. Die C. ist ein Standardverfahren der Mikroelektroniktechnologie. Es lassen sich Isolatoren, Halbleiter und Metalle in polykristalliner (Poly-Silicium), amorpher (Sili-cium, amorphes) oder einkristalliner Form (Einkristall) abscheiden. Große technische Bedeutung hat die C. von Silicium-dioxid, Siliciumnitrid und Poly-Silicium. Dotierte Siliciumdioxidschichten werden als Dotantenquellen für Diffusionsverfahren verwendet. Im Fall der Abscheidung einkristalliner Schichten spricht man von Gasphasenepitaxie. Die C. beruht auf chemischen Reaktionen wie Zersetzung, Oxydation und Reduktion, die durch Energiezufuhr ausgelöst werden. Während bei älteren Verfahren die Reaktion bei Temperaturen um 1000°C ablief, werden gegenwärtig meist Verfahren eingesetzt, bei denen die Energie durch eine Gasentladung zugeführt wird. Bei dieser plasmaunterstützten C. läßt sich die Temperatur auf Werte unter 500 °C reduzieren. Sehr niedrige Temperaturbelastungen werden bei der in Entwicklung befindlichen Foto-C. erreicht (Energiezufuhr z. B. durch UV-Laser). Chemical Vapor Deposition, chemische Dampabscheidung, chemische Gasphasenabscheidung.

 

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