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II-YI-Halbleiter

Zusammenfassende Bezeichnung für die aus den Elementen der II. Nebengruppe und der VI. Hauptgruppe des Periodensystems gebildeten — Verbindungshalbleiter. Die wichtigsten Vertreter der II-VI-H. sind Cadmiumsulfid (CdS), Cadmiumselenid (CdSe), Cadmiumtellurid (CdTe), Zinksulfid (ZnS), Zinkselenid (ZnSe), Zinktellurid (ZnTe) sowie Zinkoxid (ZnO). Ihre wesentlichen Parameter sind in der Tafel angegeben. Die angeführten II-VI-H. können sowohl in der Zinkblendestruktur als auch in der Wur-zitstruktur kristallisieren (Kristallstruktur), ZnO nur in der Wurzitstruktur. Da die chemische Bindung zusätzlich zur klassischen Atombindung der Elementhalbleiter einen stärkeren ionischen Anteil aufweist, sind Abweichungen von der stöchiometri-schen Zusammensetzung leichter möglich. Hieraus resultieren bestimmte Besonderheiten in den Halbleitereigenschaften. So lassen sich z. B. ZnO, CdS und CdSe nur als n-Halbleiter herstellen, ZnO nur als p-Halb-leiter. Aufgrund des relativ großen Bandabstands gehören die meisten II-VI-Verbin-dungen zu den Halbleitern, die überwiegend wegen ihrer Lumineszenz- und Fotoleitungseigenschaften Interesse finden. Verglichen mit den Elementhalbleitern und den III—V-Halbleiterverbindungen, haben II-VI-H. nur eine sehr untergeordnete Bedeutung für technische Anwendungen. In der Mikroelektronik werden sie lediglich für die Herstellung von Lumineszenzschichten sowie von Fotowiderständen und Fotoelementen verwendet.

 

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III-Halbleiter

 

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