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Multiemitter-Transistor

Bipolartransistor (Transistor, bipolarer), der mehrere Emitter mit gemeinsamer Basis und gemeinsamem Kollektor hat. M. werden vorteilhaft eingesetzt, wenn in einer Schaltung mehrere Transistoren mit Basis und Kollektor parallelgeschaltet sind. Man benutzt sie fast ausschließlich in IS, um Schaltungsaufwand und damit Chipfläche (Chip) zu sparen. M. werden z. B. in TTL-Gattern (TTL) als Eingangstransistoren mit bis zu 10 Emittern angewendet. Damit lassen sich leicht AND- bzw. OR-Gatter (und deren Negation) aufbauen. Liegt einer der Emitter eines npn-M. auf tiefem Potential (L-Pegel), so hat der Ausgang z. B. ebenfalls tiefes Potential, unabhängig davon, auf welchem Potential die anderen Eingänge (Emitter) liegen. Der Ausgang liegt dann nur hoch (H-Pegel), wenn alle Eingänge ebenfalls hoch sind. Dies stellt bei positiver Logik ein AN D-Gatter bzw. bei negativer Logik ein OR-Gatter dar. Mit Hilfe von Inverterstufen (Inverter) kann daraus leicht ein NAND- bzw. NOR-Gatter gemacht werden. Für spezielle Anwendungen in der Mikrowellentechnik verwendet man M., mit denen bei einer Anordnung mehrerer parallel verlaufender, aber gemeinsam kontaktierter Emitterstreifen eine Anpassung erfolgt (Streifenleitungstechnik). Analog zu den M. werden auch Multikollektor-Transistoren, z. B. bei I2L-Gattern (I2L) bzw. für gesteuerte Stromquellen (Änderung der Kollektorströme im gleichen Vehältnis) eingesetzt.

 

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