Techniklexikon

Näherung der Nichtentartung

Elektronik, Halbleiterphysik, Ersetzung der Fermi-Verteilung (Kernladungsverteilung) durch die Boltzmann-Verteilung für die Berechnung der Ladungsträgerdichte in einem Halbleiter. Da die Fermi-Energie  in einem schwach bis normal dotierten Halbleiter meist weit unterhalb der Leitungsbandkante liegt, ist diese Näherung gerechtfertigt, da die Fermi-Verteilung für  in die Boltzmann-Verteilung übergeht. Dies hat den Vorteil, dass das Leitungs- und das Valenzband als ein einziges Energieniveau (Bandkante) angenommen werden kann, in dem sich Elektronen bzw. Löcher mit effektiven Zustandsdichten ,  aufhalten. Bei Halbleitern mit hoher Ladungsträgerdichte (z.B. durch starke Dotierung) ist diese Näherung nicht mehr gültig, man spricht dann von einem entarteten Halbleiter. (Bändermodell)