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Näherung der Nichtentartung

Elektronik, Halbleiterphysik, Ersetzung der Fermi-Verteilung (Kernladungsverteilung) durch die Boltzmann-Verteilung für die Berechnung der Ladungsträgerdichte in einem Halbleiter. Da die Fermi-Energie Näherung der Nichtentartung in einem schwach bis normal dotierten Halbleiter meist weit unterhalb der Leitungsbandkante liegt, ist diese Näherung gerechtfertigt, da die Fermi-Verteilung für Näherung der Nichtentartung in die Boltzmann-Verteilung übergeht. Dies hat den Vorteil, dass das Leitungs- und das Valenzband als ein einziges Energieniveau (Bandkante) angenommen werden kann, in dem sich Elektronen bzw. Löcher mit effektiven Zustandsdichten Näherung der Nichtentartung, Näherung der Nichtentartung aufhalten. Bei Halbleitern mit hoher Ladungsträgerdichte (z.B. durch starke Dotierung) ist diese Näherung nicht mehr gültig, man spricht dann von einem entarteten Halbleiter. (Bändermodell)

 

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