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Aufdampftechnik

Bedampfungstechnik. Aufbringen dünner Schichten auf den Wafer im Zyklus I durch Kondensation von im Hochvakuum verdampften Materialien. Die A. wird meist zur Abscheidung von Metallen verwendet. Es können aber auch halbleitende und dielektrische Schichten (z. B. Siliciumdioxid) abgeschieden werden. In einem Hochvakuumrezipienten (101 bis 104Pa) wird das Verdampfergut meist durch Induktions-, Widerstandsheizung (Tiegelverdampfung z. B.) oder Elektronenbeschuß (Elektronenstrahlverdampfung) erhitzt. Das verdampfte Material kondensiert auf den kalten Rezipientenwänden und dem temperierten Substrat (Wafer). Dabei entstehen meist polykristalline Schichten (analog Poly-Silicium). Entsprechend den Kondensationsbedingungen (Substrattemperatur, Kondensationsrate) können aber auch amorphe (analog Silicium, amorphes) und einkristalline (Molekularstrahlepitaxie) Schichten erzeugt werden. Um einen geringen Fremdstoffeinbau zu erreichen, muß der Dampfdruck des Verdampferguts über dem Wafer wesentlich größer als der Restgasdruck sein. ein Verfahren der Oberflächenbehandlung, das vorwiegend zur Präparation sauberer Oberflächen, die sich nicht spalten lassen, benutzt wird. Damit lassen sich Beschichtungen herstellen, die besondere funktionale Eigenschaften besitzen. Substratwerkstoffe sind meistens Metalle, die in einer UHV-Kammer (Ultrahochvakuum) dem Aufdampfprozess ausgesetzt werden. Man kann hierbei auch aus leicht kontaminiertem Material sehr reine Schichten gewinnen, indem die Probe erst hergestellt wird, nachdem das Fremdmaterial durch Erhitzen verdampft ist. Handelt es sich um einkristalline Oberflächen und sind die Gitterkonstanten von Substrat und aufzudampfendem Material identisch, so spricht man von Epitaxie.

Aufdampftechnik

Aufdampftechnik: Beispiel für die Aufdampftechnik.

 

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