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IS bipolare •

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Autor:
Martina Wagner

Bipolarschaltungen. IS, die als Schaltete mente bzw. verstärkende Bauelemente bipo lare Transistoren (Transistor, bipolarer) enthalten bzw. auf steuerbaren pn-Über gangen beruhen. In bipolaren IS werden sowohl npn- als auch pnp-Transistoren verwendet und Dioden in Form von pn-Dioden oder auch als Schottky-Dioden eingesetzt. Mit diesen Grundelementen können z. T. auch andere Bauelementefunktionen realisiert werden: Kondensatoren und Varaktoren unter Ausnutzung der Sperrschichtkapazität von pn-Dioden (Kondensator, integrierter) Widerstände über geeignet geschaltete Transistoren (Widerstand, integrierter). Gegenwärtig sind etwa die Hälfte aller IS Bipolarschaltungen. Davon nehmen Analogschaltungen (IS, analoge) den größten Anteil ein, weil sich für sie die Bipolartechnik besonders eignet. Auf dem Gebiet der Digitaltechnik haben Unipolarschaltungen (IS, unipolare) zwar eine größere Bedeutung und Anwendungsbreite, für bestimmte Anwendungen sind ihnen Bipolarschaltungen jedoch überlegen: Bipolare Digitalschaltungen ermöglichen im Vergleich zu unipolaren Schaltungen (hauptsächlich MOS-IS) i. allg. kürzere Schaltzeiten und höhere Ausgangsleistungen. Von Nachteil sind jedoch der größere Flächenbedarf (Pacungsdichte) und der höhere Leistungsverbrauch. Aus diesen Gründen ist die Schaltungskomplexität von bipolaren IS stets geringer geblieben als die von MOS-IS. So war z. B. der Integrationsgrad von MOS-Halb-leiterspeichern jeweils um den Faktor 4 bis 8 größer. Dementsprechend sind die spezifischen Bitkosten von Bipolarspeichern stets höher (Gesetz, Mooresches). Zu den bipolaren digitalen Schaltungsfamilien gehören neben Standard-TTL, Schottky-TTL, Low-Power-Schottky-TTL, High-Speed-TTL, ECL, CML, I2L und ISL auch spezielle Logikreihen wie RTL, DTL, LSL.

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