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Maske

Schutzschicht mit Öffnungen zur gezielten lo kalen Bearbeitung der oberflächennahen Bereiche des Wafers mittels Dotierung, Oxydation, Metallisierung oder Ätzverfahren. Die M. ist ein Abbild der Schablone und wird zur Trennung der zu verändernden von den umgebenden Gebieten des Wafers verwendet. In jedem technologischen Schritt wird eine spezielle M. eingesetzt: z. B. für die selektive Oxydation eine M. aus Silicium-nitrid oder zum Trockenätzen Metall-M. oder Lack-M. Eine Lack-M., die im Prozeß der Lithografie durch Strukturierung einer Lackschicht (Resist) entsteht, ist zur Herstellung aller anderen M. erforderlich. Prinzipiell ist eine Strukturierung auch ohne M. möglich (z. B. Dotierung durch einen gesteuerten Ionenstrahl). Entsprechende Verfahren befinden sich aber noch im Laborstadium. Bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen werden ausschließlich fest auf dem Wafer haftende M. (Haftmaske) verwendet. Wechsel-M. (dünne Metallfolien mit Durchbrüchen zum Wafer) sind veraltet.

 

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