RAM

(Abk. für random access me-mory random access): Elektronisches Speicherelement (Speicherprogrammierung, Bauelement) mit »wahlfreiem Zugriff«. Im Gegensatz zum ROM handelt es sich um einen »Schreib-Lese-Speicher« in MOS-Technik.

In der Elektronik:

Engl. Abk. für random access memory, Speicher mit wahlfreiem Zugriff. Halbleiter- Variablenspeicher mit wahlfreiem Zugriff zu den Speicherzellen.

Man unterscheidet zwischen dynamischen R. (DRAM) und statischen R. (SRAM). Die Zugriffszeiten moderner R. liegen zwischen weniger als 100 ns und mehreren 100 ns. Sie werden überwiegend in MOS-Technik (n-Kanal-Technik oder CMOS-Technik) gefertigt und haben derzeitig Speicherkapazitäten bis zu 64 kbit (SRAM) bzw. 256 Kbit (DRAM). Da es sich bei den R. um flüchtige Speicher (Speicher, flüchtiger) handelt, werden teilweise Pufferbatterien (Ni-Cd) eingesetzt, um bei Ausfall der Versorgungsspannung die Daten zu erhalten. Eine Neuentwicklung zum Datenerhalt bei Spannungsausfall ohne Pufferbatterie ist der - NOVRAM. Der R. hat ma-trixförmig angeordnete Speicherzellen und damit den wahlfreien Zugriff. Er wird auch in Anlehnung an die Begriffsbildung beim ROM (Nur-Lese-Speicher) Schreib-Lese-Speicher (engl. write read memory) genannt. Der R. wird als Arbeitsspeicher verwendet.

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