RAM

(Abk. für random access me-mory random access): Elektronisches Speicherelement (Speicherprogrammierung, Bauelement) mit »wahlfreiem Zugriff«. Im Gegensatz zum ROM handelt es sich um einen »Schreib-Lese-Speicher« in MOS-Technik. In der Elektronik: Engl. Abk. für random access memory, Speicher mit wahlfreiem Zugriff. Halbleiter- Variablenspeicher mit wahlfreiem Zugriff zu den Speicherzellen. Man unterscheidet zwischen dynamischen R. (DRAM) und statischen R. (SRAM). Die Zugriffszeiten moderner R. liegen zwischen weniger als 100 ns und mehreren 100 ns. Sie werden überwiegend in MOS-Technik (n-Kanal-Technik oder CMOS-Technik) gefertigt und haben derzeitig Speicherkapazitäten bis zu 64 kbit (SRAM) bzw. 256 Kbit (DRAM). Da es sich bei den R. um flüchtige Speicher (Speicher, flüchtiger) handelt, werden teilweise Pufferbatterien (Ni-Cd) eingesetzt, um bei Ausfall der Versorgungsspannung die Daten zu erhalten. Eine Neuentwicklung zum Datenerhalt bei Spannungsausfall ohne Pufferbatterie ist der - NOVRAM. Der R. hat ma-trixförmig angeordnete Speicherzellen und damit den wahlfreien Zugriff. Er wird auch in Anlehnung an die Begriffsbildung beim ROM (Nur-Lese-Speicher) Schreib-Lese-Speicher (engl. write read memory) genannt. Der R. wird als Arbeitsspeicher verwendet. Elektronik, Halbleiterphysik, Random Access Memory, Schreib-Lese-Speicher, der einen wahlweisen Schreib- und Lesezugriff (also den Zugriff an jeder beliebigen Stelle des Speichers) gestattet, im Gegensatz zum Nur-Lese-Speicher ROM. Er findet daher Verwendung als Arbeitsspeicher (Hauptspeicher) eines Computers. In einem solchen Arbeitsspeicher laufen die Anwendungsprogramme ab, dabei werden die entsprechenden Programmcodes und die bearbeiteten Daten dort zwischengelagert.

Ein RAM ist ein flüchtiger Speicher, dessen Inhalt beim Ausschalten des Computers gelöscht wird. Es ist aufgebaut aus einer Anordnung von Halbleiter-Speichern, den sog. RAM-Chips oder Speicher-Chips.

Man unterscheidet zwischen dynamischem RAM (DRAM) und statischem RAM (SRAM). DRAMs werden deswegen als dynamisch bezeichnet, weil ihr Speicherinhalt ständig und regelmässig wiederaufgefrischt werden muss. Die Notwendigkeit des ständigen Auffrischens rührt daher, dass die Speicherelemente auf einem DRAM-Chip Kondensatoren sind, die entweder geladen (Bit-Wert 1) oder entladen (Bit-Wert 0) sein müssen, um einen definierten Speicherzustand darzustellen, (reale) Kondensatoren aber mit der Zeit Ladung verlieren. DRAMs sind billiger und kleiner herstellbar als SRAMs, weswegen normalerweise im Arbeitsspeicher von Computern DRAMs verwendet werden. SRAMs erfordern jedoch keine Auffrischung des Speicherinhalts und arbeiten schneller als DRAMs. Die Speicherzellen von SRAMs bestehen aus sog. bistabilen Kippstufen, wobei den beiden stabilen Zuständen jeweils der binäre Wert 0 oder 1 zugeordnet wird. Die gespeicherte Information bleibt solange erhalten, wie die Betriebsspannung innerhalb eines spezifizierten Bereiches ist. Eine solche Speicherzelle ist z.B. aus 6 CMOS-Transistoren aufgebaut.