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Tempern

Wärmebehandlung des Wafers im Zyklus I zur Veränderung der Eigenschaften der Oberfläche bzw. der abgeschiedenen Schichten. Im Prozeß der Lithografie wird der Wafer vor dem Auftragen des r Resists getempert, um durch Entfernung von adsorbiertem Wasser die Haftung beim nachfolgenden Beschichten zu erhöhen. Das T. nach dem Beschichten dient der Entfernung von Lösungsmitteln. Nach dem Entwickeln soll durch T. die Haftung des Resists auf dem Wafer und die Beständigkeit bei der Weiterbearbeitung durch Ätzverfahren erhöht werden. Bei der Herstellung von Leitbahnen werden durch T. die Schicht- und Kontakteigenschaften verbessert. T. nach der thermischen Oxydation soll die Eigenschaften der Grenzfläche Siliciumdioxid - Silicium verbessern.

 

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Tempest

 

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