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Bauelementemischtechnik

Kombinationstechnik. Kombination von Unipolartechnik und Bipolartechnik durch monolithische Integration. Monolithisch integrierte Silicium-Schaltun-gen (IS, monolithische), die in B. ausgeführt sind, stehen erst am Anfang der Entwicklung. Sie vereinigen auf dem gleichen Chip sowohl bipolare Bauelemente (hauptsächlich Transistoren und pn-Dioden) als auch Feldeffekttransistoren (insbesondere SFET und MOSFET einschließlich CMOS-Strukturen) und gewinnen aufgrund ihrer Flexibilität und günstigen Eigenschaften zunehmend an Bedeutung. Durch die Kombination des hohen Eingangswiderstands und geringen Leistungsverbrauchs der unipolaren Transistoren mit der hohen Ausgangsleistung bzw. Leistungsverstärkung der Bipolarschaltungen können nach dem Stand der jeweiligen Technologie optimal leistungsfähige Gesamtschaltungen hergestellt werden. Darüber hinaus ermöglicht die B. das gleichzeitige Aufbringen von digitalen und analogen Bauelementefunktionen auf einen Chip. Die Fertigung von IS in B. erfordert stets zusätzliche Prozeßschritte, wodurch sich die Herstellungskosten z.T. erheblich erhöhen. Deshalb werden sie hauptsächlich dort eingesetzt, wo es auf spezielle Eigenschaften oder Parameter ankommt, wie hohe Spannungsfestigkeit und Störsicherheit, niedriges Rauschen, oder in Schaltungen mit extrem hochohmigen Eingängen und niederohmigem Ausgang. Beispiele für B. sind die BIFET-Technik und die BI-MOS-Technik.

 

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