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Kanal

Engl. Channel. Halbleiterkanal. An der Grenzfläche eines Halbleiters befindliches Gebiet, das zwei Zonen des gleichen Leitungstyps miteinander verbindet und dessen Leitfähigkeit entweder durch Ladungsträgerin fluenz oder durch die Ausdehnung einer Sperrschicht gesteuert werden kann. Praktische Anwendung finden K. bei den Feldeffekttransistoren. Bei den MIS-FET wird in einer r Inversionsschicht unter der Halbleiteroberfläche über das am Gate anliegende Potential die Löcherbzw. Elektronendichte durch Ladungsträgerinfluenz gesteuert. Bei den Depletion-Transistoren wird der vorhandene leitfähige K. zwischen den Gebieten von Source und Drain durch das Gatepotential normalerweise an Ladungsträgern verarmt, bei den Enhancement-Transistoren wird eine den leitfähigen K. bildende Inversionsschicht durch Ladungsträgerinfluenz aufgebaut und angereichert. Die SFET und MESFET haben grundsätzlich einen Kanal, dessen Leitfähigkeit über das Gatepotential durch die Ausdehnung einer Raumladungszone am pn-Übergang bzw. Metall-Halbleiter-Übergang gesteuert wird (Änderung des wirksamen Kanalquerschnitts). channel, in der Streutheorie die Bezeichnung der möglichen Reaktionsvorgänge zum gleichen Übergangsmatrixelement. Je nach den kinematischen Verhältnissen sind verschiedene Anfangs- und Endzustände möglich. Im relativistischen Fall erfolgt die Klassifizierung der Kanäle zu jedem Feynman-Diagramm mit Hilfe der Lorentz-invarianten Mandelstam-Variablen (s, t, u). Streuprozesse, die zu verschiedenen Kanälen gehören, z.B. die elastische Elektron-Myon-Streuung (t-Kanal) und die Elektron-Positron-Vernichtung (s-Kanal), können also mit dem gleichem Feynman-Diagramm berechnet werden. (Crossing-Symmetrie)

 

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